Nanonex公司的光固化纳米压印光刻技术(P-NIL)基于NX-2000纳米压印机,采用专利的气垫压制(ACP)技术,实现了低压室温下60秒内的大面积均匀压印;该工艺为双层光刻胶体系,通过紫外光固化完成图案转移,配合两步反应离子刻蚀(RIE)实现图案层间转移,已成功在4英寸晶圆上制备出200纳米间距光栅、20纳米孔径结构及MESFET电路栅极层级等从纳米到数十微米的特征尺寸结构,展现了低成本、高通量及高分辨率的优势。

思维导图

一、纳米压印光刻技术(NIL)概述

定义:一种低成本、高通量的图案化技术,分辨率可达10nm,是未来纳米制造的潜在解决方案。

Nanonex 的两种实现方式(对比见表 1):

热压印光刻(T-NIL):单层光刻胶,需加热至玻璃化转变温度(Tg)以上,施压使光刻胶形变,冷却后脱模,需单步氧 RIE 去除残留胶。

光固化纳米压印光刻(P-NIL):室温低压工艺,双层光刻胶,紫外光固化使顶层液态光刻胶交联,脱模后通过两步 RIE 转移图案。

二、P-NIL工艺细节

玻璃模具:4 英寸 Pyrex 7740 基底(0.5mm 厚),含 100nm 氧化物层(PECVD 沉积),表面图案通过电子束光刻等定义,经氟基 RIE 转移,表面用全氟烷基氯硅烷钝化(脱模剂),凸起高度约60nm。

压印基底:4 英寸硅晶圆(500μm 厚),经 NH